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近期，寬禁帶半導體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領域取得重要突破，成

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近日，電科芯片所屬西南設計牽頭制定的國家標準《半導體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標準規(guī)定了半導體集成

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件和制造功率半導體器件的方法的專利，公開號 CN 1197

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項名為半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法的專利，公開號CN 119767774

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，黑龍江匯芯半導體有限公司申請一項名為一種集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊的專利，公開號CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權(quán)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州無熱芯陽半導體有限公司申請一項名為一種新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管的專利，公開號 CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鎵特半導體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應器的專利，授權(quán)公告號CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京天科合達半導體股份有限公司申請一項名為一種在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的方法的

誰能把握大數(shù)據(jù)、人工智能等新經(jīng)濟發(fā)展機遇，誰就把準了時代脈搏。國家主席習近平在金磚國家領導人第十四次會晤上的重要講話（20

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申

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日前，國家市場監(jiān)督管理總局、國家標準化管理委員會正式發(fā)布（GB/T 44334-2024）《 埋層硅外延片》國家標準，并于2025年3月1日正

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州創(chuàng)芯致尚微電子有限公司取得一項名為一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置的專利，授權(quán)公告號CN 22255