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西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部郝躍教授團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授聯(lián)合武漢大學(xué)何軍教授團(tuán)隊(duì)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

重慶奧松半導(dǎo)體特色芯片產(chǎn)業(yè)基地迎來重大里程碑：其8英寸生產(chǎn)線首臺(tái)光刻機(jī)設(shè)備在眾人矚目下平穩(wěn)進(jìn)場(chǎng)。

近日，全球技術(shù)分析和知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights發(fā)布了關(guān)于2025年度全球半導(dǎo)體行業(yè)客戶滿意度調(diào)查（以下簡(jiǎn)稱CSS）的白皮書

安居區(qū)人民政府與廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司簽署項(xiàng)目合作協(xié)議

第五屆紫外LED大會(huì)暨長(zhǎng)治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會(huì)將于8月27-29日在山西長(zhǎng)治濱湖國(guó)際大酒店舉辦。本屆會(huì)議由長(zhǎng)治市人民政府與中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）共同主辦。

據(jù)麗水經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)官微消息，7月11日，位于麗水經(jīng)開區(qū)的浙江富樂德傳感技術(shù)有限公司正式竣工投產(chǎn)。據(jù)悉，浙江富樂德傳感技術(shù)有限

7月14日，華海清科股份有限公司全資子公司芯崳半導(dǎo)體（上海）有限公司自主研發(fā)的首臺(tái)12英寸低溫離子注入機(jī)iPUMA-LT順利出機(jī)，并

第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月11-14日在廈門召開。論壇與IEEE長(zhǎng)期合作，投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表。

據(jù)婁星區(qū)融媒體中心消息，7月11日，湘芯半導(dǎo)體生產(chǎn)基地（一期）項(xiàng)目舉行封頂儀式，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)3萬件半導(dǎo)體設(shè)備用核心

依托中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所建設(shè)的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與蘇州實(shí)驗(yàn)室合作，近日研制出GaN基光子晶體面發(fā)射激光器，并實(shí)現(xiàn)了室溫電注入激射。

近日，在九峰山實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，研究中心無線領(lǐng)域首席專家吳暢正帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)，向化合物半導(dǎo)體技術(shù)無人區(qū)發(fā)起沖鋒。吳暢現(xiàn)年42歲，自2021年

7月11日，以賦能新應(yīng)用、共建生態(tài)鏈為主題的2025白石山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)在保定淶源華中假日酒店舉行。本屆大會(huì)由第三代

王新強(qiáng)、王平和北京大學(xué)電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室王濤團(tuán)隊(duì)實(shí)驗(yàn)揭示了纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體界面失效層的物理起源及調(diào)控方法。

康達(dá)新材（002669）7月8日發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，公司于2025年7月8日接受14家機(jī)構(gòu)調(diào)研，機(jī)構(gòu)類型為其他、基金公司、證券公司

近日，一項(xiàng)關(guān)于范德華外延高質(zhì)量超薄氮化物半導(dǎo)體材料的研究成果發(fā)表于《Advanced Materials》，該研究由武漢大學(xué)何軍教授團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授合作完成，武漢大學(xué)文耀副研究員與西安電子科技大學(xué)寧靜教授與為論文共同第一作者，何軍教授、張進(jìn)成教授為論文共同通訊作者。

7月8日，北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司A股股票在科創(chuàng)板上市交易。該公司A股股本為295556萬股，其中19978.7692萬股于2025年7月8

第六屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議征文&報(bào)名火熱進(jìn)行中！

偏振光探測(cè)技術(shù)在復(fù)雜環(huán)境檢測(cè)、多維信息通信及光學(xué)傳感成像等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件的專利，公開號(hào)CN120262170A，申請(qǐng)日

根據(jù)納微半導(dǎo)體 Navitas 提供的文件，臺(tái)積電計(jì)劃于 2027 年 7 月終止氮化鎵 (GaN) 晶圓的生產(chǎn)。而日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 羅姆也