7月26-28日，江蘇省第三代半導體研究院邀您參加在西安召開的2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇。CASICON 2023西安論壇
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
7月14日，北京市經濟和信息化局發布了工業和信息化部組織的第五批專精特新小巨人企業公示名單，243家企業上榜。從名單來看，不少
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續發展的重要支撐力量，其在光電子，射頻
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。西安電子科技大學微電子學院在讀博士研究生王逸飛
GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領域的應用前景而備受關注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關速
據悉，近日，《科學通報》以《模塊化局域元素供應技術批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》為題，在線發表了松山湖材料實驗室/北
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室副主
近幾年新能源車的爆發，極大地促進了IGBT市場的發展。隨著全球電動車的銷量提升，新能源汽車的不斷普及，對于充電樁的需求日益增
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
第三屆紫外LED國際會議暨LED產業發展推進大會(中國長治)將于9月5-7日召開。本屆論壇由長治市人民政府、中關村半導體照明工程研發
近日，中國電科43所活性金屬釬焊（AMB）基板一體化封裝先進工藝實現了電路、布線、封裝等多項技術升級，相關技術指標達到國際先
第三代半導體產業技術戰略聯盟標準T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測試方法》已完
【超38億元A輪股權融資創歷史】近日，安徽長飛先進半導體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權融資，融資規模創國內第三代半導體
隨著電力電子應用領域的不斷擴大和需求的增長，絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸的
近日，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區。據悉，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目利用同濟大學在晶
2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于7月26-28日在西安召開。
7月19-21日，由江蘇省工業和信息化廳、南京江北新區管理委員會主辦的2023世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會，將亮相南京國際
2023年6月8日，元旭半導體天津生產基地開工活動于天津濱海高新區順利舉行。
近日，中國科大微電子學院兩篇論文入選第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議（IEEE ISPSD，全稱：IEEE International Symposi