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中電四公司承建的浙江萃錦半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)120萬(wàn)只中高功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目開(kāi)工儀式在寧波慈溪市高新區(qū)隆重舉行。

7月10日，由TE Connectivity泰科電子、廈門(mén)唯樣科技有限公司、廈門(mén)信和達(dá)電子有限公司主辦，《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》雜志、半導(dǎo)體器件

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會(huì)議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學(xué)江蘇省第三代半導(dǎo)體與高能效器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張榮和陸海教授研究團(tuán)隊(duì)入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應(yīng)研究論文，向國(guó)際同行展示了宇航級(jí)GaN功率器件研究最新成果。

隨著半導(dǎo)體器件向更小尺寸、更高性能發(fā)展，表界面原子級(jí)結(jié)構(gòu)對(duì)器件性能的影響愈發(fā)顯著。表界面缺陷不僅降低載流子遷移率、增加電

在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國(guó)際會(huì)議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（PEDL）取得了令人矚目的成績(jī)。團(tuán)隊(duì)共有四篇論文被選為大會(huì)全體報(bào)告（Oral Session）。該核心報(bào)告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊(duì)在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場(chǎng)也遇見(jiàn)了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時(shí)也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向，以下簡(jiǎn)單回顧一下熱點(diǎn)走向！

6月4日，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子，在第37屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)（ISPSD2025）

5月23-24日， 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）在南京舉辦。

5月23日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來(lái)：突破功率極限，引領(lǐng)能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領(lǐng)域的卓越優(yōu)勢(shì)

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會(huì)議。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見(jiàn)!

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）將于南京舉辦。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授楊樹(shù)將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來(lái)《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》的大會(huì)報(bào)告，

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測(cè)試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時(shí)，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來(lái)《寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)》的主題報(bào)。報(bào)告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開(kāi)分析，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！